Nd:YVO4 –Diode Pumped Solid-state Lasers

Mubo nga paghulagway:

Nd: YVO4 mao ang usa sa labing episyente nga laser host kristal nga karon anaa alang sa diode laser-pumped solid-state lasers.Nd: YVO4 mao ang usa ka maayo kaayo nga kristal alang sa taas nga gahum, lig-on ug gasto-epektibo nga diode pumped solid-estado lasers.

Pangutana Karon Ipadala ang email kanamo

Detalye sa Produkto

Mga Tag sa Produkto

Deskripsyon sa Produkto

Nd: YVO4 makahimo og gamhanan ug lig-on nga IR, berde, asul nga mga laser nga adunay disenyo sa Nd: YVO4 ug frequency dobleng kristal.Para sa mga aplikasyon diin gikinahanglan ang mas compact nga disenyo ug ang single-longitudinal-mode nga output, ang Nd:YVO4 nagpakita sa iyang partikular nga mga bentaha sa ubang kasagarang gigamit nga mga kristal sa laser.

Mga Kaayohan Sa Nd:YVO4

● Ubos nga lasing threshold ug taas nga slope efficiency
● Dako nga stimulated emission cross-section sa lasing wavelength
● Taas nga pagsuyup sa usa ka lapad nga pumping wavelength bandwidth
● Optical uniaxial ug dako nga birefringence mopagawas polarized laser
● Ubos nga pagsalig sa pumping wavelength ug lagmit sa single mode output

Panguna nga mga Kinaiya

Atomic Densidad	~1.37x1020 atoms/cm2
Kristal nga Istruktura	Zircon Tetragonal, grupo sa kawanangan D4h, a=b=7.118, c=6.293
Densidad	4.22 g/cm2
Katig-a sa Mohs	Sama sa salamin, 4.6 ~ 5
Thermal Expansion Coefficient	αa=4.43x10-6/K,αc=11.37x10-6/K
Punto sa Pagkatunaw	1810 ± 25 ℃
Lasing nga mga wavelength	914nm, 1064nm, 1342nm
Thermal Optical Coefficient	dna/dT=8.5x10-6/K, dnc/dT=3.0x10-6/K
Gipukaw nga Emisyon Cross-Section	25.0x10-19 cm2 , @1064 nm
Fluorescent tibuok kinabuhi	90 ms (mga 50 ms alang sa 2 atm% Nd doped) @808 nm
Pagsuyop Coefficient	31.4 cm-1 @ 808 nm
Gitas-on sa pagsuyop	0.32 mm @ 808 nm
Intrinsic nga Pagkawala	Ubos sa 0.1% cm-1 , @1064 nm
Pagbaton og Bandwidth	0.96 nm (257 GHz) @ 1064 nm
Polarized nga Laser Emisyon	parallel sa optic axis (c-axis)
Diode Pump Optical ngadto sa Optical Episyente	> 60%
Sellmeier Equation (para sa puro nga YVO4 nga kristal)	no2(λ) =3.77834+0.069736/(λ2 - 0.04724) - 0.0108133λ2
	no2(λ) =4.59905+0.110534/(λ2 - 0.04813) - 0.0122676λ2

Teknikal nga Parameter

Nd konsentrasyon sa dopant	0.2 ~ 3 atm%
Dopant tolerance	sulod sa 10% sa konsentrasyon
Gitas-on	0.02 ~ 20mm
Pagtino sa coating	AR @ 1064nm, R<0.1% & HT @ 808nm, T>95%
	HR @ 1064nm, R>99.8% & HT@808nm, T>9%
	HR @ 1064nm, R>99.8%, HR @ 532 nm, R>99% & HT @ 808 nm, T>95%
orientasyon	a-cut kristal nga direksyon (+/-5 ℃)
Dimensional nga pagtugot	+/- 0.1mm(tipikal), Taas nga katukma +/- 0.005mm mahimong magamit kung gihangyo.
Wavefront distorsyon	<λ/8 sa 633nm
Ang kalidad sa nawong	Mas maayo kay sa 20/10 Scratch/Dig kada MIL-O-1380A
Paralelismo	<10 arc segundos