ZnGeP2 — Usa ka Saturated Infrared Nonlinear Optics
Deskripsyon sa Produkto
Tungod niining talagsaon nga mga kabtangan, kini nailhan nga usa sa labing maayong mga materyales alang sa nonlinear optical nga mga aplikasyon.Ang ZnGeP2 makamugna og 3-5 μm nga padayon nga tunable nga laser nga gipagawas pinaagi sa optical parametric oscillation (OPO) nga teknolohiya.Ang mga laser, nga naglihok sa atmospheric transmission window nga 3-5 μm hinungdanon kaayo alang sa daghang mga aplikasyon, sama sa infrared counter measure, chemical monitoring, medical apparatus, ug remote sensing.
Makatanyag kami og taas nga optical nga kalidad nga ZnGeP2 nga adunay hilabihan ka ubos nga absorption coefficient α <0.05 cm-1(sa pump wavelengths 2.0-2.1 µm), nga magamit sa pagmugna og mid-infrared tunable laser nga adunay taas nga kahusayan pinaagi sa OPO o OPA nga mga proseso.
Atong Kapasidad
Ang Dynamic Temperature Field Technology gimugna ug gipadapat sa pag-synthesize sa ZnGeP2 polycrystalline.Pinaagi sa kini nga teknolohiya, labaw pa sa 500g nga taas nga kaputli nga ZnGeP2 polycrystalline nga adunay daghang mga lugas ang na-synthesize sa usa ka run.
Ang paagi sa Horizontal Gradient Freeze inubanan sa Directional Necking Technology (nga makapaubos sa dislokasyon nga densidad sa epektibong paagi) malampuson nga gigamit sa pagtubo sa taas nga kalidad nga ZnGeP2.
Ang kilo-level nga taas nga kalidad nga ZnGeP2 nga adunay pinakadako nga diametro sa kalibutan (Φ55 mm) malampuson nga gipatubo pinaagi sa Vertical Gradient Freeze nga pamaagi.
Ang kabangis sa nawong ug pagkatag sa mga aparato nga kristal, nga wala’y 5Å ug 1/8λ matag usa, nakuha sa among teknolohiya sa pagtambal sa lit-ag nga maayo nga nawong.
Ang katapusan nga anggulo pagtipas sa kristal nga mga himan mao ang ubos pa kay sa 0.1 degree tungod sa paggamit sa tukma nga orientation ug tukma nga pagputol teknik.
Ang mga himan nga adunay maayo kaayo nga pasundayag nakab-ot tungod sa taas nga kalidad sa mga kristal ug taas nga lebel nga teknolohiya sa pagproseso sa kristal (Ang 3-5μm mid-infrared tunable nga laser nahimo nga adunay kahusayan sa pagkakabig nga labaw sa 56% kung gibomba sa usa ka 2μm nga suga tinubdan).
Ang among grupo sa panukiduki, pinaagi sa padayon nga eksplorasyon ug teknikal nga kabag-ohan, malampuson nga naka-master sa teknolohiya sa synthesis sa high-purity ZnGeP2 polycrystalline, ang teknolohiya sa pagtubo sa dako nga gidak-on ug taas nga kalidad nga ZnGeP2 ug kristal nga oryentasyon ug high-precision nga teknolohiya sa pagproseso;makahatag ug ZnGeP2 device ug orihinal nga as-grown nga mga kristal sa mass scale nga adunay taas nga uniporme, ubos nga absorption coefficient, maayo nga kalig-on, ug taas nga conversion efficiency.Sa parehas nga oras, nagtukod kami usa ka tibuuk nga hugpong sa platform sa pagsulay sa pasundayag sa kristal nga naghimo kanamo nga adunay katakus sa paghatag mga serbisyo sa pagsulay sa pasundayag sa kristal alang sa mga kustomer.
Mga aplikasyon
● Ikaduha, ikatulo, ug ikaupat nga harmonic nga henerasyon sa CO2-laser
● Optical parametric generation nga adunay pumping sa wavelength nga 2.0 µm
● Ikaduha nga harmonic nga henerasyon sa CO-laser
● Naghimo og coherent radiation sa submillimeter range gikan sa 70.0 µm ngadto sa 1000 µm
● Pagmugna sa hiniusa nga frequency sa CO2- ug CO-lasers radiation ug uban pang mga laser nagtrabaho sa kristal transparency rehiyon.
Panguna nga mga Kinaiya
| Kemikal | ZnGeP2 |
| Crystal Symmetry ug Klase | tetragonal, -42m |
| Mga Parameter sa Lattice | a = 5.467 Å c = 12.736 Å |
| Densidad | 4.162 g/cm3 |
| Katig-a sa Mohs | 5.5 |
| Klase sa Optical | Positibo nga uniaxial |
| Magamit nga Transmission Range | 2.0 um - 10.0 um |
| Thermal Conductivity @ T= 293 K | 35 W/m∙K (⊥c) 36 W/m∙K ( ∥ c) |
| Thermal Expansion @ T = 293 K hangtod sa 573 K | 17.5 x 106 K-1 (⊥c) 15.9 x 106 K-1 ( ∥ c) |
Teknikal nga Parameter
| Diametro nga pagkamatugtanon | +0/-0.1 mm |
| Gitas-on nga Pagtugot | ± 0.1 mm |
| Pagkamatugtanon sa Oryentasyon | <30 arcmin |
| Kalidad sa nawong | 20-10 SD |
| Pagkapatas | <λ/4@632.8 nm |
| Paralelismo | <30 arcsec |
| Perpendicularity | <5 arcmin |
| Chamfer | <0.1 mm x 45° |
| Transparency range | 0.75 - 12.0 ?m |
| Nonlinear Coefficients | d36 = 68.9 pm/V (sa 10.6μm) d36 = 75.0 pm/V (sa 9.6 μm) |
| Damage Threshold | 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm |
